SiC 模塊內置的功率半導體元件全部由SiC構成，與Si(硅)材質的IGBT模塊相比，可大幅降低開關損耗。 內置SiC-SBD、SiC-MOSFET，與傳統的Si-IGBT相比，在100KHｚ以上的高頻環境下工作成為可能。
4.1 SiC 模塊的特征
現在，針對大電流的功率模塊中廣泛應用的主要是由Si 的IGBT 和FRD 組成的IGBT 模塊。ROHM在世界上首次開始推出搭載了SiC‐MOSFET 和SiC‐SBD 的功率模塊。由IGBT 的尾電流和FRD 的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過切換為SiC 功率模塊可以明顯地減少，因此具有以下效果：
1. 開關損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化、水冷/強制風冷的自然風冷化）
2. 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）
主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。文章來源：http://itmustbedons.com/js/157.html
4.2 電路構成
現在量產中的SiC 功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1 類型的模塊，分為由SiC MOSFET+ SiC SBD 構成的類型和只由SiC MOSFET 構成的類型這兩種，請根據用途進行選擇。 模塊外觀如下圖： SiC 功率模塊電路圖（半橋電路）
■SiC‐MOSFET + SiC‐SBD 組成 ■SiC‐MOSFET 組成