三菱A系列IGBT模塊

性能特點(diǎn)

采用最新的CSTBT^TM硅片技術(shù):

• 低飽和壓降Vce(sat), 低開(kāi)關(guān)損耗Esw(on), Esw(off)

• 高短路耐受能力

ΔT(j-f)性能優(yōu)于歐洲的同類(lèi)溝槽型IGBT模塊

采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f)，通過(guò)采用氮化鋁AlN絕緣層實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的熱阻特性

成本優(yōu)化的封裝，低阻抗封裝(A系列1單元除外)
飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小

比同等級(jí)其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15%
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，通過(guò)調(diào)整底板與氮化鋁絕緣層之間的焊接層厚度來(lái)改善溫度循環(huán)能力Δ Tc (焊接層疲勞)，熱阻小
模塊內(nèi)部寄生電感小，減小柵極電容:柵極驅(qū)動(dòng)功率近似于平面型IGBTs
功率循環(huán)能力顯著改善，采用新的導(dǎo)線焊接工藝大大提高功率循環(huán)能力ΔTj (導(dǎo)線連接疲勞)

應(yīng)用領(lǐng)域

適合中、低端變頻器產(chǎn)品設(shè)計(jì)

封裝尺寸


94mm × 48mm	108mm × 62mm	110mm × 80mm	140mm × 130mm

三菱第五代A系列IGBT模塊產(chǎn)品型號(hào)見(jiàn)下表，歡迎聯(lián)系上海菱端電子有限公司產(chǎn)品咨詢及技術(shù)支持。

IGBT Modules (A series)

電路拓?fù)?/td>	V_CES(V)	Ic(A)
電路拓?fù)?/td>	V_CES(V)	75	100	150	200	300	400	600
2單元	1200		CM100DY -24A (45KB)	CM150DY -24A (45KB)	CM200DY -24A (45KB)	CM300DY -24A (45KB)	CM400DY -24A (48KB)	CM600DY -24A (49KB)
2單元	1700	CM75DY -34A (110KB)	CM100DY -34A (101KB)	CM150DY -34A (121KB)	CM200DY -34A (102KB)	CM300DY -34A (100KB)	CM400DY -34A (126KB)
1單元	1200V							CM600HA -24A (117KB)
1單元	1200V						CM400HA -24A (118KB)	CM600HB -24A

三菱電機(jī)IGBT模塊的命名方法：

上海菱端電子科技有限公司：

   聯(lián)系人：夏小姐
   服務(wù)熱線：021-58979561
   業(yè)務(wù)咨詢qq：447495955
   業(yè)務(wù)咨詢qq：1852433657
   業(yè)務(wù)咨詢qq：513845646
   技術(shù)支持qq：313548578
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