IGBT結溫是功率電子器件最重要的參數之一，器件在運行中測量此溫度是非常困難的。一個方法是通過使用IGBT模塊內部的NTC(熱敏電阻)近似估計芯片穩定工作狀態的溫度，此方法不適用與測量快速變化的IGBT溫度。
芯片溫度可以通過建立一個熱模型及測量NTC的溫度計算得到，可以通過下式計算溫度T2時的NTC電阻值 溫度T1=298.15K時的電阻R₂₅的值在手冊里有規定，如下圖 根據實際測量的NTC電阻R₂的值，溫度T₂的值可由下式計算 電阻的最大相對偏差由定義在100度下的ΔR/R值來表示。為了避免NTC的自加熱，NTC自身的功耗需要被限定。為了限定NTC的自身溫升不超過最大允許值1K，通過NTC的電流可以由下式計算。 為了更精確地計算NTC的電阻及溫度值，需要不同的B值。B值取決于于所考慮的溫度范圍。25度到100度為最常見溫度范圍，因此會使用B_25/100的值。在較低的溫度范圍內，可以使用B_25/80或B_25/50的值，這樣會在較低的溫度范圍內計算的電阻值更精確。 采用NTC的溫度測量方式不適用與短路檢測或短時間內過載檢測，可以用來當長時間的過載條件下運行或者冷卻系統故障時保護模塊。