一、IGBT模塊吸收電路的模型
盡管開關器件內部工作機理不同，但對于吸收電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關斷時模型可以等效為電壓控制的電流源，開通時可以等效為電壓控制的電壓源。下面以下圖所示的斬波器為例提出一般IGBT吸收電路的模型。在分析中均假定：所有二極管的通態電壓降為零，開關器件T的拖尾電流為零，開關器件T的通態電壓降為零。文章來源：http://itmustbedons.com/il/225.html 1．關斷模型
初始狀態：T為通態，VD反向截止，Is流經T和Ls，Cs上的電壓為零，Ls上電流為Is。柵極發出關斷信號，經延遲時間，T上的電流以極快的速度下降到零。這段時間為電流下降時間，記為TF1。設下降時間開始時刻為零點，在下降時間里，0≤t≤TF1，則： 若假定T中的電流按二次曲線下降，則i_CS=I_S*t²/T²_F1；若T的拖尾電流為零，則t=TF1時第一電壓尖峰為： Cs由電流源Is充電，一直充到Cs上的電壓等于Us。這時，VD_F2正向導通，Is通過VD_F2續流；VD_S1導通，Ls上的電流流經VD_S1。同時，Cs和Lp1+Lp2產生諧振，當Lp1+Lp2中的能量全部轉移到Cs中時，IGBT承受第2個電壓尖峰U2； 式中：；Lp1為主回路的雜散電感；Lp2為吸收回路的雜散電感。
然后是VDs的反向恢復過程，同時Cs放電，Cs上的電壓最后穩定在Us，電路進入穩態。
二、開通模型
初始狀態：T為斷態，VD_F2為通態，Is流經VD_F2，Cs上電壓為Us，若考慮Ls和VDs1回路的損耗，則Ls上的電流為零。柵極發出開通信號，經過延遲時間，T上的電壓以極快的速度下降到零。這段時間為電壓下降時間，記為T_F2。在電壓下降時間里有： 式中：i1、i2分別為Lp1和Lp2中的電流；u_T、i_T分別為T上的電壓和流經T的電流。
一般假定Cs上的電壓在這么短的時間里仍維持Us。其后，Cs通過Rs和T放電到零，同時Ls+Lp1恒壓充電至電流為Is。這時VD_F2反向恢復并截止。最后電路進入穩態，T導通，VD_F2截止，Is流經T和Ls，Cs上的電壓為零，Ls中的電流為Is。
采用支路模型無法正確理解三電平電路中的雜散電感，因為雜散電感與回路有關，且回路面積越大，雜散電感越大。用回路模型表示比用支路模型表示更確切。因此，工程上凡是需要抑制過電壓或避免電磁干擾的地方，都必須緊縮布線或采用雙絞線以減少雜散電感。
根據以上模型可以指導設計吸收電路：首先根據器件功率大小和電路的布局估計Lp1和Lp2，一般以1m²的面積對應1uH來信算；然后根據具體器件的特性，由上式確定Cs及Ls；Rs的選擇要保證在T開通時Cs上的電壓泄放至零，同時也要綜合考慮上式。